T1901N80TS01PRQRHOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | T1901N80TS01PRQRHOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | T1901N80TS01PRQRHOSA1 |
| Beschreibung | DIODE MODULE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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T1901N80TS01PRQRHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | T1901N80TS01PRQRHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs - Module |
| Datenblatt |
T1901N80TS01PRQRHOSA1, T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt
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T1901N80TS01PRQRHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Struktur | Single |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR |
| Spannung - Aus Zustand | 8kV |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 2930A |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | 3300A |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2.5V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 350mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 67000A @ 50Hz |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 350mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | TO-200AF |
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Hersteller IXYS Serie - Struktur Series Connection - SCR/Diode Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR, 1 Diode Spannung - Aus Zustand 1.4kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 32A Current - On State (It (RMS)) (max.) 50A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 1.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 100mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 520A, 560A Current - Hold (Ih) (Max) 200mA Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-240AA |
