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T1901N80TS01PRQRHOSA1

T1901N80TS01PRQRHOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T1901N80TS01PRQRHOSA1
PNEDA Teilenummer T1901N80TS01PRQRHOSA1
Beschreibung DIODE MODULE
Hersteller Infineon Technologies
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T1901N80TS01PRQRHOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT1901N80TS01PRQRHOSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T1901N80TS01PRQRHOSA1, T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 251,29 KB)
PDFT1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Cover
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T1901N80TS01PRQRHOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)2930A
Current - On State (It (RMS)) (max.)3300A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)67000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)350mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-200AF

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Hersteller

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Struktur

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Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

95A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

580A, 890A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

113MT80KB

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1130A, 1180A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MTK

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

36A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

320A, 350A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

X118

T730N38TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

4.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

730A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1840A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

300mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

17600A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 120°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

VS-VSKT162/16PBF

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

355A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4870A, 5100A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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