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T1851N70TOHXPSA1

T1851N70TOHXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T1851N70TOHXPSA1
PNEDA Teilenummer T1851N70TOHXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T1851N70TOHXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT1851N70TOHXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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T1851N70TOHXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand7000V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)1830A
Current - On State (It (RMS)) (max.)2880A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)50000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)350mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AE

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Sensata-Crydom

Serie

-

Struktur

Common Cathode - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

TA20101803DH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1800A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2820A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

36500A, 40000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AE Variation

TD140N22KOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

159A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

250A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKH230-14PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

230A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

510A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7500A, 7850A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK (3)

TDB6HK180N16RRPB11BPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes

Anzahl der SCRs, Dioden

3 SCRs, 3 Diodes

Spannung - Aus Zustand

-

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1600A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

220mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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