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T1901N80TOHXPSA1

T1901N80TOHXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T1901N80TOHXPSA1
PNEDA Teilenummer T1901N80TOHXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 8000V 3300A DO200AE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T1901N80TOHXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT1901N80TOHXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T1901N80TOHXPSA1, T1901N80TOHXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 251,29 KB)
PDFT1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Cover
T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 2 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 3 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 4 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 5 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 6 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 7 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 8 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 9 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 10 T1901N80TS01PRQRHOSA1 Datenblatt Seite 11

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T1901N80TOHXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)2930A
Current - On State (It (RMS)) (max.)3300A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)67000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)350mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AE

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1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

27A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

60A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A, 420A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

200A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

444A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7600A, 8000A

Current - Hold (Ih) (Max)

600mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1331A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18200 @ 50MHz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

WC-500

TT120N16SOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

119A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

190A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKT71/04

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

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