Speicher-ICs

STK22C48-SF25

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF25I

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF25ITR

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF25TR

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF45

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF45I

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF45ITR

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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STK22C48-SF45TR

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-SOIC

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SX-3130-1658

Cypress Semiconductor

Speicher

IC FLASH NOR

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: -
• Speicherformat: -
• Technologie: -
• Speichergröße: -
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 67-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG0S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BVG0S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 67-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG1S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 67-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 67-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4G (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 63-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: Benand™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 67-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58CVG0S3HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI - Quad I/O
• Taktfrequenz: 104MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 155µs
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 16-SOP

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TC58CVG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI - Quad I/O
• Taktfrequenz: 104MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 155µs
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 104MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG2S0HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

• Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND (SLC)
• Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI - Quad I/O
• Taktfrequenz: 104MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 280µs
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 16-SOP

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