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TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Nur als Referenz

Teilenummer TC58BVG1S3HTA00
PNEDA Teilenummer TC58BVG1S3HTA00
Beschreibung IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG1S3HTA00 Ressourcen

Marke Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC58BVG1S3HTA00
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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TC58BVG1S3HTA00 Technische Daten

HerstellerToshiba Memory America, Inc.
SerieBenand™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP I

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

MT48LC16M16A2Y66AWC1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT28C010-20PI

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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