TC58BYG1S3HBAI4
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| Teilenummer | TC58BYG1S3HBAI4 |
| PNEDA Teilenummer | TC58BYG1S3HBAI4 |
| Beschreibung | 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC58BYG1S3HBAI4 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC58BYG1S3HBAI4 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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TC58BYG1S3HBAI4 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | Benand™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
