Speicher-ICs

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TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager8.802
TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.828
TH58BVG3S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager5.706
TH58BVG3S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.144
TH58BYG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4G SLC NAND BGA 24NM Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager7.272
TH58BYG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager7.980
TH58BYG3S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8 Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager6.606
TH58BYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Benand™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager9.372
TH58NVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-BGA Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)	Auf Lager7.488
TH58NVG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-BGA Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)	Auf Lager6.012
TH58NVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager86.195
TH58NVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.750
TH58NVG3S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager7.722
TH58NVG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager7.236
TH58NVG3S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager2.088
TH58NVG3S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager7.128
TH58NVG4S0FTA20 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager2.340
TH58NVG4S0HTA20 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager3.816
TH58NVG4S0HTAK0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 16Gb (2G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.282
TH58NVG5S0FTA20 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager73
TH58NVG5S0FTAK0 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager7.025
TH58NYG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-BGA Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)	Auf Lager7.176
TH58NYG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-BGA Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)	Auf Lager6.966
TH58NYG3S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-VFBGA Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)	Auf Lager7.764
TH58NYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND (SLC) Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns Zugriffszeit: 25ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 67-VFBGA Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)	Auf Lager6.528
THGAF8G8T23BAIL Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 256G UFS 153WFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Consumer UFS Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 256Gb (32G x 8) Speicherschnittstelle: UFS Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 153-WFBGA Lieferantengerätepaket: 153-WFBGA (11.5x13)	Auf Lager2.808
THGAF8G9T43BAIR Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 512G UFS 153VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Consumer UFS Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 512Gb (64G x 8) Speicherschnittstelle: UFS Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 153-VFBGA Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)	Auf Lager7.632
THGAF8T0T43BAIR Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Consumer UFS Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 1Tb (128G x 8) Speicherschnittstelle: UFS Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 153-VFBGA Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)	Auf Lager35
THGAF8T1T83BAIR Toshiba Memory America, Inc.	Speicher IC FLASH 2T UFS 153VFBGA Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: Consumer UFS Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 2Tb (256G x 8) Speicherschnittstelle: UFS Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 153-VFBGA Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)	Auf Lager7.938
THGAMRT0T43BAIR Toshiba Memory America, Inc.	Speicher 128GB V5.1 EMMC (3D) Hersteller: Toshiba Memory America, Inc. Serie: e•MMC™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH - NAND Speichergröße: 1Tb (128G x 8) Speicherschnittstelle: eMMC Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 153-WFBGA Lieferantengerätepaket: 153-FBGA (11.5x13)	Auf Lager7.044

TH58BVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager8.802

TH58BVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager6.828

TH58BVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager5.706

TH58BVG3S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager6.144

TH58BYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4G SLC NAND BGA 24NM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: -
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager7.272

TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager7.980

TH58BYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager6.606

TH58BYG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Benand™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager9.372

TH58NVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-BGA
Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)

Auf Lager7.488

TH58NVG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-BGA
Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)

Auf Lager6.012

TH58NVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager86.195

TH58NVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager6.750

TH58NVG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager7.722

TH58NVG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager7.236

TH58NVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager2.088

TH58NVG3S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager7.128

TH58NVG4S0FTA20

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 16Gb (2G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager2.340

TH58NVG4S0HTA20

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 16Gb (2G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager3.816

TH58NVG4S0HTAK0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 16Gb (2G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager6.282

TH58NVG5S0FTA20

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 32Gb (4G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager73

TH58NVG5S0FTAK0

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 32Gb (4G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

Auf Lager7.025

TH58NYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-BGA
Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)

Auf Lager7.176

TH58NYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-BGA
Lieferantengerätepaket: 63-BGA (9x11)

Auf Lager6.966

TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 63-TFBGA (9x11)

Auf Lager7.764

TH58NYG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: -
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße: 8Gb (1G x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
Zugriffszeit: 25ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 67-VFBGA (6.5x8)

Auf Lager6.528

THGAF8G8T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 256G UFS 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Consumer UFS
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND
Speichergröße: 256Gb (32G x 8)
Speicherschnittstelle: UFS
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 153-WFBGA
Lieferantengerätepaket: 153-WFBGA (11.5x13)

Auf Lager2.808

THGAF8G9T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Consumer UFS
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND
Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle: UFS
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 153-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)

Auf Lager7.632

THGAF8T0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Consumer UFS
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND
Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
Speicherschnittstelle: UFS
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 153-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)

Auf Lager35

THGAF8T1T83BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

IC FLASH 2T UFS 153VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: Consumer UFS
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND
Speichergröße: 2Tb (256G x 8)
Speicherschnittstelle: UFS
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 153-VFBGA
Lieferantengerätepaket: 153-VFBGA (11.5x13)

Auf Lager7.938

THGAMRT0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

Speicher

128GB V5.1 EMMC (3D)

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Serie: e•MMC™
Speichertyp: Non-Volatile
Speicherformat: FLASH
Technologie: FLASH - NAND
Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
Speicherschnittstelle: eMMC
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: -
Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 153-WFBGA
Lieferantengerätepaket: 153-FBGA (11.5x13)

Auf Lager7.044

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