TH58NYG2S3HBAI4
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| Teilenummer | TH58NYG2S3HBAI4 |
| PNEDA Teilenummer | TH58NYG2S3HBAI4 |
| Beschreibung | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TH58NYG2S3HBAI4 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TH58NYG2S3HBAI4 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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TH58NYG2S3HBAI4 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (9x11) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOJ |
