ZXMC4A16DN8TA
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| Teilenummer | ZXMC4A16DN8TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXMC4A16DN8TA |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMC4A16DN8TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMC4A16DN8TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMC4A16DN8TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 840mW Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V Leistung - max 1.65W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM832DS |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
