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QS6J11TR

QS6J11TR

Nur als Referenz

Teilenummer QS6J11TR
PNEDA Teilenummer QS6J11TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 56.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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QS6J11TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS6J11TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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QS6J11TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 6V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketTSMT6 (SC-95)

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Leistung - max

3.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-VDFN

Lieferantengerätepaket

4-QFN (2x2)

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

320mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

420mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Leistung - max

2.14W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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