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BSS138PS,115

BSS138PS,115

Nur als Referenz

Teilenummer BSS138PS,115
PNEDA Teilenummer BSS138PS-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSS138PS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS138PS,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSS138PS, BSS138PS Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 915,3 KB)
PDFBSS138PS Datenblatt Cover
BSS138PS Datenblatt Seite 2 BSS138PS Datenblatt Seite 3 BSS138PS Datenblatt Seite 4 BSS138PS Datenblatt Seite 5 BSS138PS Datenblatt Seite 6 BSS138PS Datenblatt Seite 7 BSS138PS Datenblatt Seite 8 BSS138PS Datenblatt Seite 9 BSS138PS Datenblatt Seite 10 BSS138PS Datenblatt Seite 11

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BSS138PS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.320mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Leistung - max420mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc), 9.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V, 600pF @ 25V

Leistung - max

27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

DMN3032LFDBQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

AON2880

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (2x2)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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