TPS1120DR
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| Teilenummer | TPS1120DR |
| PNEDA Teilenummer | TPS1120DR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPS1120DR Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPS1120DR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TPS1120DR Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 840mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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