STGW80V60F
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| Teilenummer | STGW80V60F |
| PNEDA Teilenummer | STGW80V60F |
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 469W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.352 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW80V60F Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW80V60F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW80V60F Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 469W |
| Schaltenergie | 1.8mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 448nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/220ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 700µJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/180ns Testbedingung 300V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 20A Leistung - max 384W Schaltenergie 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/235ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.05mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/170ns Testbedingung 480V, 40A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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