NGTB20N120IHRWG
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| Teilenummer | NGTB20N120IHRWG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB20N120IHRWG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A 384W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.207 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB20N120IHRWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB20N120IHRWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB20N120IHRWG, NGTB20N120IHRWG Datenblatt
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NGTB20N120IHRWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 384W |
| Schaltenergie | 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 225nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/235ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max 350W Schaltenergie 8.8mJ (on), 9.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 380nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/250ns Testbedingung 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
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