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HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG40N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG40N60B3
Beschreibung IGBT 600V 70A 290W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HGTG40N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG40N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG40N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)330A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max290W
Schaltenergie1.05mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge250nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/170ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

560nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/110ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

APT35GP120B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

750µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/95ns

Testbedingung

600V, 35A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

Leistung - max

312W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/190ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Kürzlich verkauft

VLMRGB343-ST-UV-RS

VLMRGB343-ST-UV-RS

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RGB 4PLCC SMD

MMSZ5231BT1G

MMSZ5231BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123

EN63A0QI

EN63A0QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.4V 65W

CAT4139TD-GT3

CAT4139TD-GT3

ON Semiconductor

IC LED DRIVER RGLTR DIM TSOT23-5

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

AT25DF321-SU

AT25DF321-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 8SOIC

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

TAJD107K020RNJ

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CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

IRLMS6702TRPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

HX1188FNLT

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Pulse Electronics Network

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IM03GR

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RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC