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HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG40N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG40N60B3
Beschreibung IGBT 600V 70A 290W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HGTG40N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG40N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG40N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)330A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max290W
Schaltenergie1.05mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge250nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/170ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

560nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

MGP15N40CL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 14A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/166ns

Testbedingung

960V, 14A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

Kürzlich verkauft

IXGA20N120A3

IXGA20N120A3

IXYS

IGBT 1200V 40A 180W TO263

DS5000-32-16+

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17-21SURC/S530-A3/TR8

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D5V0L4B5SO-7

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TVS DIODE 5V 14V SOT353

MMBT4401LT1G

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TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

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IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2

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