HGTG40N60B3
Nur als Referenz
Teilenummer | HGTG40N60B3 |
PNEDA Teilenummer | HGTG40N60B3 |
Beschreibung | IGBT 600V 70A 290W TO247 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.596 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
HGTG40N60B3 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | HGTG40N60B3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- HGTG40N60B3 Datasheet
- where to find HGTG40N60B3
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor HGTG40N60B3
- HGTG40N60B3 PDF Datasheet
- HGTG40N60B3 Stock
- HGTG40N60B3 Pinout
- Datasheet HGTG40N60B3
- HGTG40N60B3 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- HGTG40N60B3 Price
- HGTG40N60B3 Distributor
HGTG40N60B3 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 330A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
Leistung - max | 290W |
Schaltenergie | 1.05mJ (on), 800µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 250nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 47ns/170ns |
Testbedingung | 480V, 40A, 3Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 320A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 700A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 15V, 100A Leistung - max 1000W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 560nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 860A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 25A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4µs Testbedingung 300V, 6.5A, 1kOhm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
IXYS Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 14A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/166ns Testbedingung 960V, 14A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.4µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 |
IXYS Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/250ns Testbedingung 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268HV |