IXGT30N60B2D1
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| Teilenummer | IXGT30N60B2D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT30N60B2D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 190W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT30N60B2D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT30N60B2D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT30N60B2D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 190W |
| Schaltenergie | 320µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 66nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 24A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 6A Leistung - max 89W Schaltenergie 390µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/100ns Testbedingung 600V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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