FGP5N60LS
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGP5N60LS |
| PNEDA Teilenummer | FGP5N60LS |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGP5N60LS Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGP5N60LS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGP5N60LS Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 36A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 12V, 14A |
| Leistung - max | 83W |
| Schaltenergie | 38µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18.3nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 4.3ns/36ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 39A Leistung - max 200W Schaltenergie 370µJ (on), 2.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/240ns Testbedingung 480V, 39A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A Leistung - max 400W Schaltenergie 1.6mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 750nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/310ns Testbedingung 300V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS264™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie * IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 625W Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 66ns/185ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 202ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket MAX247™ |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 147W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/250ns Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A Leistung - max 1W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 3.1µs/2µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
