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AOT10B65M2

AOT10B65M2

Nur als Referenz

Teilenummer AOT10B65M2
PNEDA Teilenummer AOT10B65M2
Beschreibung IGBT 650V 10A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 23.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 1 - Apr 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOT10B65M2 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOT10B65M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOT10B65M2, AOT10B65M2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 530,58 KB)
PDFAOT10B65M2 Datenblatt Cover
AOT10B65M2 Datenblatt Seite 2 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 3 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 4 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 5 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 6 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 7 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 8 AOT10B65M2 Datenblatt Seite 9

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AOT10B65M2 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie180µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)262ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/127ns

Testbedingung

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGA6065ADF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25.6ns/71ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IXGH32N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4BC20W-S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

60µJ (on), 80µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/110ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

LT1963AEST-3.3#TRPBF

LT1963AEST-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

VRF150

VRF150

Microsemi

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN

CNY17-4X007T

CNY17-4X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

MCR03EZPJ000

MCR03EZPJ000

Rohm Semiconductor

RES SMD 0 OHM JUMPER 1/10W 0603

DM74LS05N

DM74LS05N

ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP

ADM7154ACPZ-3.3-R7

ADM7154ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 600MA 8LFCSP

SP3232ECN-L

SP3232ECN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

S25FL064LABMFI010

S25FL064LABMFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SOIC

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A