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IXGP30N120B3

IXGP30N120B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP30N120B3
PNEDA Teilenummer IXGP30N120B3
Beschreibung IGBT 1200V 60A 300W TO220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGP30N120B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP30N120B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP30N120B3, IXGP30N120B3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 211,94 KB)
PDFIXGA30N120B3 Datenblatt Cover
IXGA30N120B3 Datenblatt Seite 2 IXGA30N120B3 Datenblatt Seite 3 IXGA30N120B3 Datenblatt Seite 4 IXGA30N120B3 Datenblatt Seite 5 IXGA30N120B3 Datenblatt Seite 6

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IXGP30N120B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/127ns
Testbedingung960V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

2.24mJ (on), 1.02mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/464ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1100V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 30A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/350ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG8CH76K10F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

480nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/210ns

Testbedingung

600V, 75A, 1.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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