STGW15M120DF3
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGW15M120DF3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW15M120DF3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 30A 259W | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 190 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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STGW15M120DF3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW15M120DF3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW15M120DF3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 259W |
| Schaltenergie | 550µJ (on), 850µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 226nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/122ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 270ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A Leistung - max 260.4W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 35A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 230W Schaltenergie 500µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 60nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/55ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 125W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
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