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STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGB19NC60HDT4
PNEDA Teilenummer STGB19NC60HDT4
Beschreibung IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB19NC60HDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB19NC60HDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB19NC60HDT4, STGB19NC60HDT4 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 711,46 KB)
PDFSTGF19NC60HD Datenblatt Cover
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STGB19NC60HDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max130W
Schaltenergie85µJ (on), 189µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/97ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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IHW30N65R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

850µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

153nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/220ns

Testbedingung

400V, 30A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IKP15N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RGT16NS65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/33ns

Testbedingung

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

FGH40T100SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

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-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

265nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/285ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

78ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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