NGTD14T65F2WP
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| PNEDA Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTD14T65F2WP Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTD14T65F2WP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTD14T65F2WP Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 42A Leistung - max 223W Schaltenergie 120µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/113ns Testbedingung 200V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
