NGTD14T65F2WP
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| PNEDA Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTD14T65F2WP Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTD14T65F2WP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTD14T65F2WP Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 20A Leistung - max 178.5W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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