NGTD14T65F2WP
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| Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| PNEDA Teilenummer | NGTD14T65F2WP |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTD14T65F2WP Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTD14T65F2WP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTD14T65F2WP Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A Leistung - max 235.8W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/85ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 143A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A Leistung - max 625W Schaltenergie 840µJ (on), 751µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/158ns Testbedingung 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed 2™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 500A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A Leistung - max 830W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/120ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 192A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 48A Leistung - max 330W Schaltenergie 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/160ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4.7µs Testbedingung 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Lieferantengerätepaket TO-263-6 |
