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STGW20NB60KD

STGW20NB60KD

Nur als Referenz

Teilenummer STGW20NB60KD
PNEDA Teilenummer STGW20NB60KD
Beschreibung IGBT 600V 50A 170W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGW20NB60KD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW20NB60KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW20NB60KD, STGW20NB60KD Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 307,38 KB)
PDFSTGW20NB60KD Datenblatt Cover
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STGW20NB60KD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
Leistung - max170W
Schaltenergie675µJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.39ns/105ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80.5ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

HGTP2N120CN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

96µJ (on), 355µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/205ns

Testbedingung

960V, 2.6A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

FGH60T65SQD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

227µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20.8ns/102ns

Testbedingung

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC20UD-STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

AIKW50N60CTXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Kürzlich verkauft

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

MTP50P03HDLG

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

B3S-1000P

B3S-1000P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

UPD720201K8-711-BAC-A

UPD720201K8-711-BAC-A

Renesas Electronics America

IC HOST CTRLR USB 3.0 68QFN

MP3V5004GP

MP3V5004GP

NXP

IC PRESSURE SENSOR 8-SOP

742792662

742792662

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

ISL6269BCRZ

ISL6269BCRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

MCP73832T-2ATI/OT

MCP73832T-2ATI/OT

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR SOT23-5

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP

STPS40L40CT

STPS40L40CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB