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STGP19NC60HD

STGP19NC60HD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP19NC60HD
PNEDA Teilenummer STGP19NC60HD
Beschreibung IGBT 600V 40A 130W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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STGP19NC60HD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP19NC60HD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP19NC60HD, STGP19NC60HD Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 711,46 KB)
PDFSTGF19NC60HD Datenblatt Cover
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STGP19NC60HD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max130W
Schaltenergie85µJ (on), 189µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/97ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/96ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

NGTD14T65F2WP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

270µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/42ns

Testbedingung

300V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IGW60N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

375nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/252ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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