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STGB10NB40LZT4

STGB10NB40LZT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGB10NB40LZT4
PNEDA Teilenummer STGB10NB40LZT4
Beschreibung IGBT 440V 20A 150W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB10NB40LZT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB10NB40LZT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB10NB40LZT4, STGB10NB40LZT4 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.238,79 KB)
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STGB10NB40LZT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)440V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 4.5V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie2.4mJ (on), 5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1.3µs/8µs
Testbedingung328V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3FS

STGF3NC120HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

236µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/118ns

Testbedingung

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

FGY75T95SQDT

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.11V @ 15V, 75A

Leistung - max

434W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

137nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28.8ns/117ns

Testbedingung

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

168A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

900µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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