NGTB10N60FG
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| Teilenummer | NGTB10N60FG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB10N60FG |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A TO220F3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB10N60FG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB10N60FG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB10N60FG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 72A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 40W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 55nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/145ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F-3FS |
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Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 380A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 1630W Schaltenergie 2.85mJ (on), 4.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/160ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 50A Leistung - max 390W Schaltenergie 255µJ (on), 375µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 205nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/130ns Testbedingung 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
