NGTB10N60FG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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NGTB10N60FG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A Leistung - max 40W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/145ns Testbedingung 300V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-3FS |