IRG4RC10UDPBF
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| Teilenummer | IRG4RC10UDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4RC10UDPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.374 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4RC10UDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4RC10UDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4RC10UDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8.5A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 34A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 140µJ (on), 120µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/87ns |
| Testbedingung | 480V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 67A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 272W Schaltenergie 2.15µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 155nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/280ns Testbedingung 800V, 25A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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