SI6924AEDQ-T1-GE3
Nur als Referenz
Teilenummer | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.552 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SI6924AEDQ-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI6924AEDQ-T1-GE3, SI6924AEDQ-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 7, Größe: 115,85 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI6924AEDQ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3
- SI6924AEDQ-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Stock
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI6924AEDQ-T1-GE3
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Price
- SI6924AEDQ-T1-GE3 Distributor
SI6924AEDQ-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung - max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V Leistung - max 960mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V Leistung - max 125W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V Leistung - max 1.96W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 570mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |