SP8K2FU6TB
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| Teilenummer | SP8K2FU6TB |
| PNEDA Teilenummer | SP8K2FU6TB |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.016 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SP8K2FU6TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SP8K2FU6TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SP8K2FU6TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.1nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 30V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V Leistung - max 12W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 10-AlphaDFN (3.01x1.52) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
