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SLA5065

SLA5065

Nur als Referenz

Teilenummer SLA5065
PNEDA Teilenummer SLA5065
Beschreibung MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
Hersteller Sanken
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SLA5065 Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSLA5065
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SLA5065, SLA5065 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 787,1 KB)
PDFSLA5065 LF830 Datenblatt Cover
SLA5065 LF830 Datenblatt Seite 2

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SLA5065 Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 10V
Leistung - max4.8W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
Lieferantengerätepaket15-ZIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 20V

Leistung - max

3.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI9955DY

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

QS8M31TR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

NTUD3170NZT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.5pF @ 15V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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SOT-963

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