EPC2103ENGRT
Nur als Referenz
| Teilenummer | EPC2103ENGRT |
| PNEDA Teilenummer | EPC2103ENGRT |
| Beschreibung | GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 45.828 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2103ENGRT Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2103ENGRT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2103ENGRT Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 |
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