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SI4567DY-T1-E3

SI4567DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4567DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4567DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SI4567DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4567DY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4567DY-T1-E3, SI4567DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 131 KB)
PDFSI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI4567DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds355pF @ 20V
Leistung - max2.75W, 2.95W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 25V

Leistung - max

3W (Ta), 24W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

AON6971

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 15V

Leistung - max

5W, 4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

APTM10DUM05TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

278A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V

Leistung - max

780W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

NTZD3152PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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