SGD02N60BUMA1
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| Teilenummer | SGD02N60BUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGD02N60BUMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 30W TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SGD02N60BUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGD02N60BUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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SGD02N60BUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 12A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2A |
| Leistung - max | 30W |
| Schaltenergie | 64µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/259ns |
| Testbedingung | 400V, 2A, 118Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
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Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Leistung - max - Schaltenergie 3mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
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