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IXGR50N90B2D1

IXGR50N90B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N90B2D1
PNEDA Teilenummer IXGR50N90B2D1
Beschreibung IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR50N90B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N90B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N90B2D1, IXGR50N90B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 217,18 KB)
PDFIXGR50N90B2D1 Datenblatt Cover
IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGR50N90B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 50A
Leistung - max100W
Schaltenergie4.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge135nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/350ns
Testbedingung720V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

209µJ (on), 261µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42.5ns/177ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

Leistung - max

63.5W

Schaltenergie

330µJ (on), 760µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/120ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

223A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/160ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/165ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

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