RJH65T14DPQ-A0#T0
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJH65T14DPQ-A0#T0 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | RJH65T14DPQ-A0-T0 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 100A TO247A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 88 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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RJH65T14DPQ-A0#T0 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH65T14DPQ-A0#T0 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH65T14DPQ-A0#T0, RJH65T14DPQ-A0#T0 Datenblatt
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RJH65T14DPQ-A0#T0 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.3mJ (on), 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 38ns/125ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247A |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A Leistung - max 405W Schaltenergie 420µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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