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RJH65T14DPQ-A0#T0

RJH65T14DPQ-A0#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH65T14DPQ-A0#T0
PNEDA Teilenummer RJH65T14DPQ-A0-T0
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $56,4227
100 ---------- $53,7778
250 ---------- $51,1330
500 ---------- $48,4882
750 ---------- $46,2842
1.000 ---------- $44,0802
Auf Lager 88
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RJH65T14DPQ-A0#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH65T14DPQ-A0#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH65T14DPQ-A0#T0, RJH65T14DPQ-A0#T0 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 290,66 KB)
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RJH65T14DPQ-A0#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 50A
Leistung - max250W
Schaltenergie1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.38ns/125ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247A

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/114ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

STGB3NB60FDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

16nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12.5ns/105ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

NGD18N40CLBT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 35A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5.4mJ (on), 2.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 35A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

405W

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Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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