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NGD18N40CLBT4

NGD18N40CLBT4

Nur als Referenz

Teilenummer NGD18N40CLBT4
PNEDA Teilenummer NGD18N40CLBT4
Beschreibung IGBT 430V 15A 115W DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGD18N40CLBT4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGD18N40CLBT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGD18N40CLBT4, NGD18N40CLBT4 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 87,14 KB)
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NGD18N40CLBT4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 4V, 15A
Leistung - max115W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

6.1mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 40A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

285W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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STGW40M120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 2.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/140ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

355ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/190ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 12A

Leistung - max

104W

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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