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RGTH00TK65GC11

RGTH00TK65GC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGTH00TK65GC11
PNEDA Teilenummer RGTH00TK65GC11
Beschreibung IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RGTH00TK65GC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGTH00TK65GC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGTH00TK65GC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max72W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.39ns/143ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

2mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/330ns

Testbedingung

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 90A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

1.32mJ (on), 1.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

172nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 60A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RJH65T47DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

520µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/190ns

Testbedingung

400V, 45A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

267W

Schaltenergie

1.16MJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

36nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/35ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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