RGTH00TK65GC11
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| Teilenummer | RGTH00TK65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTH00TK65GC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.012 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTH00TK65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTH00TK65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTH00TK65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 72W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 94nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 39ns/143ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFM |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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