SGB10N60AATMA1
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| Teilenummer | SGB10N60AATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGB10N60AATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 92W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.412 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SGB10N60AATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGB10N60AATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGB10N60AATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 92W |
| Schaltenergie | 320µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 52nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/178ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A Leistung - max 225W Schaltenergie 310µJ (on), 1.14mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/390ns Testbedingung 300V, 30A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max 25W Schaltenergie 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/80ns Testbedingung 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 66nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/110ns Testbedingung 400V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 8A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 2A Leistung - max 35W Schaltenergie 74µJ (on), 39µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/150ns Testbedingung 400V, 2A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
