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SGB10N60AATMA1 Datenblatt

SGB10N60AATMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SGB10N60AATMA1
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SGB10N60AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Leistung - max

92W

Schaltenergie

320µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/178ns

Testbedingung

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3