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RJP60D0DPE-00#J3

RJP60D0DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60D0DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJP60D0DPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 45A 122W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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RJP60D0DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60D0DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJP60D0DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
Leistung - max122W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/90ns
Testbedingung300V, 22A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/210ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG7S313UTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 60A

Leistung - max

78W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1ns/65ns

Testbedingung

196V, 12A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGW60V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 120A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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