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STGWA40HP65FB2

STGWA40HP65FB2

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA40HP65FB2
PNEDA Teilenummer STGWA40HP65FB2
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.984
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STGWA40HP65FB2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA40HP65FB2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA40HP65FB2, STGWA40HP65FB2 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 512,26 KB)
PDFSTGWA40HP65FB2 Datenblatt Cover
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STGWA40HP65FB2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieHB2
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)72A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max227W
Schaltenergie410µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge153nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/125ns
Testbedingung400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 10A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

36nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/315ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGD10NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IRG4PC50UD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

990µJ (on), 590µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/140ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

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Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

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