RGTVX6TS65DGC11
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| Teilenummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGTVX6TS65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTVX6TS65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 144A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 320A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 404W |
| Schaltenergie | 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 171nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/201ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 109ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 180W Schaltenergie 800µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/170ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 50A Leistung - max 390W Schaltenergie 255µJ (on), 375µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 205nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/130ns Testbedingung 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 468W Schaltenergie 1mJ (on), 1.32mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/152ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A Leistung - max 284W Schaltenergie 250µJ (on), 4.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/220ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 67ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 208W Schaltenergie 220µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/184ns Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
