SGB15N60HSATMA1
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| Teilenummer | SGB15N60HSATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGB15N60HSATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 27A 138W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGB15N60HSATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGB15N60HSATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
SGB15N60HSATMA1, SGB15N60HSATMA1 Datenblatt
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SGB15N60HSATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 27A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 138W |
| Schaltenergie | 530µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/209ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 40A Leistung - max 454W Schaltenergie 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 221nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/220ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 166ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 155A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 2500µJ (on), 2140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 485nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/385ns Testbedingung 400V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 3.68mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/216ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
