APT75GN60B2DQ3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT75GN60B2DQ3G |
| PNEDA Teilenummer | APT75GN60B2DQ3G |
| Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APT75GN60B2DQ3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APT75GN60B2DQ3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT75GN60B2DQ3G Datasheet
- where to find APT75GN60B2DQ3G
- Microsemi
- Microsemi APT75GN60B2DQ3G
- APT75GN60B2DQ3G PDF Datasheet
- APT75GN60B2DQ3G Stock
- APT75GN60B2DQ3G Pinout
- Datasheet APT75GN60B2DQ3G
- APT75GN60B2DQ3G Supplier
- Microsemi Distributor
- APT75GN60B2DQ3G Price
- APT75GN60B2DQ3G Distributor
APT75GN60B2DQ3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 155A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 485nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 47ns/385ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A Leistung - max 111W Schaltenergie 770µJ (on), 1.11mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/186ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 40A Leistung - max 577W Schaltenergie 11.7mJ (on), 6.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 270nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 1250V, 40A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 210ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 70W Schaltenergie 1.37mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/450ns Testbedingung 600V, 8A, 81Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/65ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 270W Schaltenergie 490µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 108nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/156ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
