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APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Nur als Referenz

Teilenummer APT75GN60B2DQ3G
PNEDA Teilenummer APT75GN60B2DQ3G
Beschreibung IGBT 600V 155A 536W TO264
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT75GN60B2DQ3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT75GN60B2DQ3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT75GN60B2DQ3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)155A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 75A
Leistung - max536W
Schaltenergie2500µJ (on), 2140µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge485nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/385ns
Testbedingung400V, 75A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket-

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

485A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

260nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/236ns

Testbedingung

850V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

255ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

IRGP4086PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/112ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 40A

Leistung - max

577W

Schaltenergie

11.7mJ (on), 6.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

1250V, 40A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

210ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ISOPLUSi5-Pak™

FGY100T65SCDT

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

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Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

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