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STGW40H120F2

STGW40H120F2

Nur als Referenz

Teilenummer STGW40H120F2
PNEDA Teilenummer STGW40H120F2
Beschreibung IGBT 1200V 40A HS TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW40H120F2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW40H120F2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW40H120F2, STGW40H120F2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 995,35 KB)
PDFSTGWA40H120F2 Datenblatt Cover
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STGW40H120F2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
Leistung - max468W
Schaltenergie1mJ (on), 1.32mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge158nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/152ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

79A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

860µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGAF40N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

470µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/65ns

Testbedingung

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/152ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/220ns

Testbedingung

480V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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