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RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGT80TS65DGC11
PNEDA Teilenummer RGT80TS65DGC11
Beschreibung IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.376
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RGT80TS65DGC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGT80TS65DGC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGT80TS65DGC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Leistung - max234W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/119ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)58ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

47A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/175ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FI(LS)

STGW40V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

9.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

960V, 25A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

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