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IRG4IBC30SPBF

IRG4IBC30SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4IBC30SPBF
PNEDA Teilenummer IRG4IBC30SPBF
Beschreibung IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.524
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG4IBC30SPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4IBC30SPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4IBC30SPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23.5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)47A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 18A
Leistung - max45W
Schaltenergie260µJ (on), 3.45mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/540ns
Testbedingung480V, 18A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/230ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

86A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/177ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FGA40N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

470µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/65ns

Testbedingung

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGS4B60KD1TRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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