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ISL9V3036S3S

ISL9V3036S3S

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V3036S3S
PNEDA Teilenummer ISL9V3036S3S
Beschreibung IGBT 360V 21A 150W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.264
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ISL9V3036S3S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V3036S3S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
ISL9V3036S3S, ISL9V3036S3S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 539,25 KB)
PDFISL9V3036S3S Datenblatt Cover
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ISL9V3036S3S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)360V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)21A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/4.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

390µJ (on), 632µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGA50N60LS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/146ns

Testbedingung

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

240µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

230µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/140ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

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Schaltenergie

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23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

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-

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Paket / Fall

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