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APT20GN60BDQ1G

APT20GN60BDQ1G

Nur als Referenz

Teilenummer APT20GN60BDQ1G
PNEDA Teilenummer APT20GN60BDQ1G
Beschreibung IGBT 600V 40A 136W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.172
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APT20GN60BDQ1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT20GN60BDQ1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT20GN60BDQ1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 20A
Leistung - max136W
Schaltenergie230µJ (on), 580µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9ns/140ns
Testbedingung400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

STGB7NB60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGW25M120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

850µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGB30NC60WT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

305µJ (on), 181µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29.5ns/118ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

53W

Schaltenergie

240µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220 Isolated Tab

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